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Energiesparchips auf Siliziumkarbid-Basis: Eingesetzt werden sie insbesondere bei Ladestationen für Elektroautos, Wechselrichtern für Solarenergieanlagen oder auch im Bereich der unterbrechungsfreien Stromversorgung.

Infineon: neues Kompetenzzentrum für Halbleitertechnologie in Villach

24.08.2017

Energiesparchips aus dem neuen Halbleitermaterial Siliziumkarbid bringen Systemvorteile.

Infineon Technologies intensiviert seine Aktivitäten, um Produkte aus neuen Halbleitermaterialien anzubieten, und investiert daher noch im laufenden Geschäftsjahr 35 Millionen Euro in die Entwicklungs- und Fertigungsaktivitäten für Siliziumkarbid bei Infineon Austria in Villach.

Das Investitionspaket umfasst die Weiterentwicklung von Halbleiter-Prozesstechnologien, Fertigungsanlagen sowie die Erweiterung von bestehender Produktionsinfrastruktur. Allein in Villach werden dafür 30 zusätzliche Arbeitsplätze in Forschung, Technologieentwicklung sowie im Produktmanagement geschaffen.

Das Produktangebot auf Basis der Siliziumkarbid-Technologie – ein wichtiges neues Halbleitermaterial für Energiesparchips – wird ausgebaut, um die steigende Nachfrage unter anderem in den Bereichen Industrieelektronik, Elektromobilität und erneuerbarer Energieerzeugung zu bedienen.

Peter Wawer, Division-Präsident Industrial Power Control von Infineon: „Wir sind überzeugt, dass die Siliziumkarbid Mosfet-Technologie gerade am Wendepunkt steht und kurz- und mittelfristig enormes Wachstumspotential hat.“

Wawer weiter: „Wir wollen in diesem Bereich eine globale Führungsrolle einnehmen und starten daher ein Investitionsprogramm, um unser Portfolio von Siliziumkarbid-Produkten in den Infineon-Divisionen Industrial Power Control, Automotive sowie Power Management & Multimarket offensiv zu erweitern.“

Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende der Infineon Technologies Austria AG, ergänzt: „Infineon in Villach arbeitet als wesentlicher Entwicklungs- und Innovationsstandort im Konzern bereits seit längerem mit neuen Halbleiter-Technologien wie Siliziumkarbid oder Galliumnitrid. Nachdem Siliziumkarbid-Lösungen am weltweiten Markt für Leistungshalbleiter immer stärker nachgefragt werden, hat diese Kompetenzerweiterung einen extrem hohen Stellenwert für den Standort Villach.“

Infineon hat in den vergangenen Monaten eine Reihe von neuen Siliziumkarbid-Produkten vorgestellt, die in Villach entwickelt und produziert wurden – beispielsweise aus der Familie der 1.200-V-CoolSiC-Mosfets.

Das Unternehmen wird ein umfassendes Angebot von Siliziumkarbid-Lösungen entwickeln, das auf verschiedene Anwendungsgebiete zugeschnitten ist. So ist die steigende Nachfrage beispielsweise bei Ladestationen für Elektroautos mit  schnelleren Ladezeiten, Wechselrichtern für Solarenergieanlagen oder auch im Bereich der unterbrechungsfreien Stromversorgung bereits deutlich spürbar, so Infineon.

Obwohl Leistungshalbleiter auf Basis der herkömmlichen Siliziumtechnologie in den kommenden Jahren weiterhin hauptsächlich zum Einsatz kommen werden, ermöglicht der Einsatz von Siliziumkarbid die nächsten größeren Entwicklungsfortschritte.

Mit Energiesparchips auf Basis der Siliziumkarbid-Technologie können Systemvorteile realisiert werden: Bis zu 80 Prozent geringere Energieverluste bei der Stromwandlung reduzieren bei gleicher Leistung die Baugrößen und die Systemkosten. Damit bilden sie die Grundlage für leichtere Systemlösungen bei der Energiewandlung oder in der Elektromobilität.

Autor/in:
Redaktion Elektrojournal
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